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SiS436DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
32
24
16
V GS = 10 V thr u 4 V
V GS = 3 V
10
8
6
4
T C = 25 °C
8
0
2
0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.015
0.013
0.011
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
1100
88 0
660
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.009
0.007
0.005
V GS = 10 V
440
220
0
C rss
C oss
0
8
16
24
32
40
0
5
10
15
20
25
10
8
6
4
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 10 A
V DS = 5 V
V DS = 10 V
V DS = 15 V
1.7
1.5
1.3
1.1
I D = 10 A
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
2
0
0.9
0.7
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 64735
S09-0320-Rev. A, 02-Mar-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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